IGBT vs MOSFET
MOSFET (metaaloksied-halfgeleier-veldeffektransistor) en IGBT (geïsoleerde hek-bipolêre transistor) is twee tipes transistors, en albei van hulle behoort aan die hekgedrewe kategorie. Albei toestelle het soortgelyke strukture met verskillende soorte halfgeleierlae.
Metaaloksied-halfgeleier-veldeffektransistor (MOSFET)
MOSFET is 'n tipe veldeffektransistor (FET), wat gemaak is van drie terminale bekend as 'Gate', 'Source' en 'Drain'. Hier word dreineerstroom deur die hekspanning beheer. Daarom is MOSFET's spanningbeheerde toestelle.
MOSFET's is beskikbaar in vier verskillende tipes, soos n-kanaal of p-kanaal, met óf in uitputting óf verbeteringsmodus. Drein en bron is gemaak van n tipe halfgeleier vir n kanaal MOSFETs, en soortgelyk vir p kanaal toestelle. Hek is gemaak van metaal, en geskei van bron en drein met behulp van 'n metaaloksied. Hierdie isolasie veroorsaak lae kragverbruik, en dit is 'n voordeel in MOSFET. Daarom word MOSFET in digitale CMOS-logika gebruik, waar p- en n-kanaal MOSFET's as boublokke gebruik word om kragverbruik te minimaliseer.
Alhoewel die konsep van MOSFET baie vroeg (in 1925) voorgestel is, is dit prakties in 1959 by Bell-laboratoriums geïmplementeer.
Isulated Gate Bipolêre Transistor (IGBT)
IGBT is 'n halfgeleiertoestel met drie terminale bekend as 'Emitter', 'Collector' en 'Gate'. Dit is 'n tipe transistor wat 'n groter hoeveelheid krag kan hanteer, en het 'n hoër skakelspoed wat dit baie doeltreffend maak. IGBT is in die 1980's aan die mark bekendgestel.
IGBT het die gekombineerde kenmerke van beide MOSFET en bipolêre aansluitingstransistor (BJT). Dit is hekgedrewe soos MOSFET, en het stroomspanningseienskappe soos BJT's. Daarom het dit die voordele van beide hoë stroom hantering vermoë, en gemak van beheer. IGBT-modules (bestaan uit 'n aantal toestelle) kan kilowatt krag hanteer.
Verskil tussen IGBT en MOSFET
1. Alhoewel beide IGBT en MOSFET spanningbeheerde toestelle is, het IGBT 'n BJT-agtige geleidingseienskappe.
2. Terminale van IGBT staan bekend as uitstraler, versamelaar en hek, terwyl MOSFET gemaak is van hek, bron en drein.
3. IGBT's is beter in kraghantering as MOSFETS
4. IGBT het PN-aansluitings, en MOSFET's het dit nie.
5. IGBT het 'n laer voorwaartse spanningsval in vergelyking met MOSFET
6. MOSFET het 'n lang geskiedenis in vergelyking met IGBT
