Die sleutelverskil tussen elektronryke en elektrontekorte onsuiwerhede is dat elektronryke onsuiwerhede gedoteer word met groep 1s elemente soos P en As, wat bestaan uit 5 valenselektrone, terwyl elektrontekorte onsuiwerhede met groep 13 elemente gedoteer word soos B en Al, wat van 3 valenselektrone.
Die terme elektronryke en elektrontekorte onsuiwerhede val onder halfgeleiertegnologie. Halfgeleiers tree gewoonlik op twee maniere op: intrinsieke geleiding en ekstrinsieke geleiding. In intrinsieke geleiding, wanneer elektrisiteit voorsien word, beweeg die elektrone agter 'n positiewe lading of gat op die plek van 'n ontbrekende elektron omdat suiwer silikon en germanium swak geleiers is met 'n netwerk van sterk kovalente bindings. Dit maak dat die kristal elektrisiteit gelei. In ekstrinsieke geleiding word die geleidingsvermoë van intrinsieke geleiers verhoog deur die byvoeging van 'n gepaste hoeveelheid geskikte onsuiwerheid. Ons noem hierdie proses "doping". Die twee tipes dopingmetodes is elektronryke en elektrontekorte doping.
Wat is elektronryke onsuiwerhede?
Elektronryke onsuiwerhede is tipes atome met meer elektrone wat nuttig is om die geleidingsvermoë van halfgeleiermateriaal te verhoog. Dit word as n-tipe halfgeleiers genoem omdat die aantal elektrone tydens hierdie dopingtegniek verhoog word.
In hierdie tipe halfgeleier word atome met vyf valenselektrone by die halfgeleier gevoeg, wat daartoe lei dat vier uit vyf elektrone gebruik word in die vorming van vier kovalente bindings met vier naburige silikonatome. Dan bestaan die vyfde elektron as 'n ekstra elektron, en dit word gedelokaliseer. Daar is baie gedelokaliseerde elektrone wat die geleidingsvermoë van gedoteerde silikon kan verhoog, en sodoende die geleidingsvermoë van die halfgeleier verhoog.
Wat is elektrontekorte onsuiwerhede?
Elektronryke onsuiwerhede is tipes atome met minder elektrone, wat nuttig is om die geleidingsvermoë van halfgeleiermateriaal te verhoog. Dit word as p-tipe halfgeleiers genoem omdat die aantal gate tydens hierdie dopingtegniek vermeerder word.
In hierdie tipe halfgeleier word 'n atoom met drie valenselektrone by die halfgeleiermateriaal gevoeg, wat die silikon- of germaniumatome met die onsuiwerheidsatoom vervang. Onsuiwerheidsatome het valenselektrone wat bindings met drie ander atome kan maak, maar dan bly die vierde atoom vry in die kristal van silikon of germanium. Daarom is hierdie atoom nou beskikbaar om elektrisiteit te gelei.
Wat is die verskil tussen elektronryke en elektrontekorte onsuiwerhede?
Die sleutelverskil tussen elektronryke en elektrontekorte onsuiwerhede is dat elektronryke onsuiwerhede gedoteer word met groep 1s elemente soos P en As wat 5 valenselektrone bevat, terwyl elektrontekorte onsuiwerhede gedoteer word met groep 13 elemente soos B en Al wat 3 valenselektrone bevat. Wanneer die rol van onsuiwerheidsatome in elektronryke onsuiwerhede oorweeg word, word 4 uit 5 elektrone in die onsuiwerheidsatoom gebruik om kovalente bindings met 4 naburige silikonatome te vorm, en die 5th elektron bly oor. ekstra en word gedelokaliseer; in elektrontekorte onsuiwerhede bly die 4th elektron van die roosteratoom egter ekstra en geïsoleer, wat 'n elektrongat of elektronleegheid kan skep.
Die volgende tabel som die verskil tussen elektronryke en elektrontekorte onsuiwerhede op.
Opsomming – Elektronryk vs elektrontekorte onsuiwerhede
Halfgeleiers is vaste stowwe met die eienskappe tussen metale en isolators. Hierdie vaste stowwe het slegs 'n klein verskil in energie tussen die gevulde valensband en leë geleidingsband. Elektronryke onsuiwerhede en elektrontekorte onsuiwerhede is twee terme wat ons gebruik om halfgeleiermateriale te beskryf. Die sleutelverskil tussen elektronryke en elektrontekorte onsuiwerhede is dat elektronryke onsuiwerhede gedoteer word met groep 1s elemente soos P en As wat 5 valenselektrone bevat, terwyl elektrontekorte onsuiwerhede gedoteer word met groep 13 elemente soos B en Al wat bevat 3 valenselektrone.
